Descrizione

Specifiche Tecniche Principali Interfaccia: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3. Fattore di Forma: M.2 (2280). Prestazioni Sequenziali: Lettura fino a 3.500 MB/s e scrittura fino a 3.300 MB/s. Prestazioni Random (4KB, QD32): Fino a 620.000 IOPS in lettura e 560.000 IOPS in scrittura. Tecnologia: Memoria Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC) con controller Samsung Phoenix. Caratteristiche e Vantaggi Intelligent TurboWrite: Utilizza un buffer SLC dinamico per accelerare le velocità di scrittura durante i carichi di lavoro intensi. Gestione Termica: Include la tecnologia Dynamic Thermal Guard e un rivestimento in nichel sul controller per dissipare il calore e prevenire il calo di prestazioni dovuto al surriscaldamento. Software Samsung Magician: Strumento avanzato per monitorare lo stato dell'unità, ottimizzare le prestazioni e aggiornare il firmware. Sicurezza dei Dati: Supporta la crittografia hardware AES a 256 bit e TCG/Opal V2.0.